EpiCentre développe une stratégie d’innovation technologique dans le domaine de la MBE basée sur la mesure et l’analyse en temps réel des paramètres clef de la croissance épitaxiale, et de développer une solution dédiée à la croissance de matériaux supraconducteurs à des températures cryogéniques.

Ces innovations s’adressent à deux axes de développement porteurs au près la communauté MBE.

Le premier axe porte sur des travaux innovants et structurants pour permettre une maîtrise ultime sur des procédés d’épitaxie de composants complexes, tels que les VCSELs et les cellules solaires multi-jonction.

L’objet de cette axe de travail est de développer un ensemble d’outils de mesures in-situ complémentaires, automatisés et contrôlant en temps réel les paramètres de croissance, de réduire les dérives multiples liées à ce procédé complexe et ainsi d’augmenter le rendement de production et diminuer le coût par substrat. 

Le deuxième axe vise à développer de nouvelles filières technologiques via de nouveaux matériaux dans le domaine des ordinateurs quantiques.

Cette collaboration, se concrétisera par un équipement d’épitaxie unique permettant la réalisation de structures complexes III-V et de nouveaux matériaux supraconducteurs. Cet équipement entièrement UHV, automatisée, composée de plusieurs chambres de dépôts complémentaires sera compatible avec des croissances s’effectuant à haute température, 700°C, et des croissances s’effectuant à très basse température, -150°C. L’ensemble de l’équipement sera équipée d’instruments de suivi et de contrôle in-situ, en temps réel, de l’ensemble des paramètres de croissance et des caractéristiques des structures en cours d’épitaxie. Pour chaque échantillon, l’ensemble des paramètres issus des instruments de contrôle, ainsi que les analyses effectuées ex-situ seront enregistrées dans une base de données qui constitue la brique initiale d’un apprentissage par machine learning.